Module InGaAs APD

Model: GD6510Y/ GD6511Y/ GD6512Y

Scurta descriere:

Este un modul de fotodiodă de avalanșă cu arseniură de indiu galiu cu circuit de pre-amplificare care permite amplificarea semnalului de curent slab și transformarea în semnal de tensiune pentru a realiza procesul de conversie a amplificării semnalului foton-fotoelectric.

obține o cotație Descarca

Parametru tehnic

Etichete de produs

Caracteristici

Cip plat iluminat frontal
Răspuns de mare viteză
Sensibilitate mare a detectorului

Aplicații

Distanta cu laser
Comunicare cu laser
Avertizare cu laser

Parametru fotoelectric（@Ta=22±3℃）

articol #	Categoria pachetului	Diametrul suprafeței fotosensibile (mm)	Interval de răspuns spectral (nm)	Tensiunea de avarie （V）	Responsabilitate M=10 λ=1550nm (kV/W)	Timpul de creștere （ns）	Lățimea de bandă (MHz)	Coeficient de temperatură T_a=-40℃~85℃ （V/℃）	Putere echivalentă a zgomotului (pW/√Hz)	Concentricitatea (μm)	Tip înlocuit în alte țări
GD6510Y	TO-8	0,2	1000~1700	30~70	340	5	70	0,12	0,15	≤50	C3059-1550-R2A
GD6511Y		0,5				10	35		0,21		−
GD6512Y		0,08				2.3	150		0,11		C3059-1550-R08B